Circuit intégré flambant neuf IPD135N08N3G
Attributs du produit
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | OptiMOS™ |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | Obsolète |
| Type FET | Canal N |
| Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Tension drain-source (Vdss) | 80 V |
| Courant – Drain continu (Id) à 25°C | 45A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 13,5 mOhms à 45 A, 10 V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 3,5 V à 33µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC à 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1 730 pF à 40 V |
| Fonctionnalité FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 79W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (JT) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Package d'appareil du fournisseur | PG-TO252-3 |
| Colis/Caisse | TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63 |
| Numéro de produit de base | IPD135N |
Documents et médias
| TYPE DE RESSOURCE | LIEN |
| Feuilles de données | IPD135N08N3G |
| Autres documents connexes | Guide des références |
| Produit en vedette | Systèmes de traitement des données |
| Fiche technique HTML | IPD135N08N3G |
Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Autres noms | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3G IPD135N08N3 G-ND |
| Forfait standard | 2 500 |
Un transistor est un dispositif semi-conducteur couramment utilisé dans les amplificateurs ou les commutateurs à commande électronique.Les transistors sont les éléments de base qui régulent le fonctionnement des ordinateurs, des téléphones portables et de tous les autres circuits électroniques modernes.
En raison de leur vitesse de réponse rapide et de leur grande précision, les transistors peuvent être utilisés pour une grande variété de fonctions numériques et analogiques, notamment l'amplification, la commutation, le régulateur de tension, la modulation de signal et l'oscillateur.Les transistors peuvent être emballés individuellement ou dans une très petite zone pouvant contenir 100 millions de transistors ou plus dans le cadre d'un circuit intégré.
Par rapport au tube électronique, le transistor présente de nombreux avantages :
Le composant n'a aucune consommation
Quelle que soit la qualité du tube, il se détériorera progressivement en raison des changements dans les atomes de la cathode et des fuites d'air chroniques.Pour des raisons techniques, les transistors rencontraient le même problème lors de leur première fabrication.Grâce aux progrès des matériaux et aux améliorations apportées à de nombreux aspects, les transistors durent généralement 100 à 1 000 fois plus longtemps que les tubes électroniques.
Consomme très peu d'énergie
Ce n'est qu'un dixième ou des dizaines d'un tube électronique.Il n’est pas nécessaire de chauffer le filament pour produire des électrons libres comme le tube électronique.Une radio à transistors n'a besoin que de quelques piles sèches pour écouter six mois par an, ce qui est difficile à faire pour une radio à tube.
Pas besoin de préchauffer
Travaillez dès que vous l'allumez.Par exemple, une radio à transistor s'éteint dès qu'elle est allumée, et un téléviseur à transistor crée une image dès qu'il est allumé.L'équipement à tube à vide ne peut pas faire cela.Après le démarrage, attendez un moment pour entendre le son, voir l'image.En clair, dans le domaine militaire, en mesure, en enregistrement, etc., les transistors sont très avantageux.
Solide et fiable
100 fois plus fiable que le tube électronique, résistance aux chocs, résistance aux vibrations, incomparable au tube électronique.De plus, la taille du transistor n'est qu'un dixième à un centième de la taille du tube électronique, très peu de dégagement de chaleur, peut être utilisé pour concevoir des circuits petits, complexes et fiables.Bien que le processus de fabrication du transistor soit précis, le processus est simple, ce qui contribue à améliorer la densité d'installation des composants.
