-
IPD031N06L3G nouveaux composants électroniques d'origine puce ic MCU BOM service en stock IPD031N06L3G
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 60 V – Drain continu (Id) à 25 °C 100 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,1 mOhm à 100A... -
IMZA65R072M1H puces IC Transistors composants électroniques condensateur de circuit intégré IMZA65R072M1H
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits à semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies – Tube de boîtier Statut du produit Type de FET actif – Technologie – Courant – Drain continu (Id) à 25 °C 28 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Fonction FET - Dissipation de puissance (Max) - Température de fonctionnement - Numéro de produit de base IMZA6.. . -
Liste de nomenclature IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Circuit intégré
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes – Redresseurs – Réseaux Fabricant Infineon Technologies Série Rapid 2 Package Tube Statut du produit Configuration de diode active 1 paire Type de diode cathodique commune Tension standard – CC inverse (Vr) (Max) 650 V Courant – Moyenne redressée ( Io) (par diode) Tension 15 A – Direct (Vf) (Max) @ Si 2,2 V à 15 A Vitesse Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) Récupération inverse... -
KWM Original nouveau Transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS puce de circuit intégré IC en stock
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 60 V – Drain continu (Id) à 25 °C 40 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC puce nouveau Circuit intégré d'origine
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 25 V – Drain continu (Id) à 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm... -
(STOCK) BSS138NH6327 composants électroniques nouveaux et originaux produit chaud
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier SIPMOS® Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie N-Channel MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 60 V – Drain continu (Id) à 25 °C 230 mA (Ta) Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ohm à 230 mA... -
Original nouveau en Stock MOSFET Transistor Diode Thyristor SOT-223 BSP125H6327 IC puce composant électronique
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier SIPMOS® Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie N-Channel MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 600 V – Drain continu (Id) à 25 °C 120 mA (Ta) Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA... -
MOSFET TDSON-8 original flambant neuf, BSC0902NSI
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 30 V – Drain continu (Id) à 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @Id, Vgs 2,8m... -
Nouveau Circuit intégré TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03, puce Ic, en Stock
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 100 V – Drain continu (Id) à 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOh... -
Circuit intégré BSC100N06LS3G nouveau et original
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 60 V – Drain continu (Id) à 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ puce Ic composant électronique d'origine
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 100 V – Drain continu (Id) à 25 °C 90 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G nouvelle et originale puce de Circuit intégré ic BSC060N10NS3G attributs du produit
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 100 V – Drain continu (Id) à 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...
