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Composant électronique nouveau et original, puce IC IRF7103TRPBF
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Réseaux Fabricant Infineon Technologies Série HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit FET actif Type 2 FET à canal N (double) Caractéristique Tension drain-source standard (Vdss) Courant 30 V – Drain continu (Id) à 25 °C 6,5 A Rds On (Max) à Id, Vgs 29 mOhm à 5,8 A, 10 V Vgs(th) (Max) à Id 1 V à 250 µA Charge de porte (Qg) (Max... -
IRF7103TRPBF puce IC de Circuit intégré nouvelle et originale IRF7103TRPBF
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Réseaux Fabricant Infineon Technologies Série HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit FET actif Type 2 FET à canal N (double) Caractéristique Tension drain-source standard (Vdss) Courant 50 V – Drain continu (Id) à 25 °C 3 A Rds On (Max) à Id, Vgs 130 mOhm à 3 A, 10 V Vgs(th) (Max) à Id 3 V à 250 µA Charge de grille (Qg) (Max) @... -
IRF7103TRPBF puce IC de Circuit intégré nouvelle et originale IRF7103TRPBF
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Réseaux Fabricant Infineon Technologies Série HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit FET actif Type 2 FET à canal N (double) Caractéristique Tension drain-source standard (Vdss) Courant 50 V – Drain continu (Id) à 25 °C 3 A Rds On (Max) à Id, Vgs 130 mOhm à 3 A, 10 V Vgs(th) (Max) à Id 3 V à 250 µA Charge de grille (Qg) (Max) @... -
IRF4905STRLPBF composants électroniques nouveaux et originaux Service de nomenclature de puce IC en Stock IRF4905STRLPBF
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Infineon Technologies Série HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie P-Channel MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) 55 V Courant – Drain continu (Id) à 25 °C 42 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 42 A, 10V Vg... -
Nouveaux composants électroniques originaux puce IC IRF3205STRLPBF Circuits intégrés
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Infineon Technologies Série HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 55 V – Drain continu (Id) à 25 °C 110 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62 A, 10V Vg... -
IRF100S201 avantage approvisionnement Stock nouveau Service de nomenclature de puces IC intelligentes originales pour IRF100S201
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Infineon Technologies Série HEXFET®, StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (Oxyde métallique) Tension drain-source (Vdss) Courant 100 V – Drain continu (Id) à 25 °C 192 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,2 mOh... -
IPW60R099P7 nouveau Original en Stock livraison rapide IC puce composants électroniques Service de nomenclature pour IPW60R099P7
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Circuits intégrés (CI) CI spécialisés Fabricant Infineon Technologies Série - Package Bulk Statut du produit Documents et médias actifs TYPE DE RESSOURCE LIEN Fiches techniques IPW60R099P7 Fiche technique Classifications environnementales et d'exportation DESCRIPTION DE L'ATTRIBUT ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Ressources supplémentaires DESCRIPTION DE L'ATTRIBUT Autres noms 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Package standard 1 Un circuit intégré... -
IPD135N08N3G tout nouveau circuit intégré de haute qualité
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Statut du produit Type FET obsolète Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique) Tension drain-source (Vdss) 80 Courant V – Drain continu (Id) à 25 °C 45 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) à Id, Vgs 13,5 mOhm à 45 A, 10 V Vgs(th) ( Max) @ Identifiant... -
IPD036N04LG vente chaude ICS nouveau et Original de haute qualité
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies OptiMOS™ 3 Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie N-Channel MOSFET (métal Oxyde) Tension drain-source (Vdss) 40 V Courant – Drain continu (Id) à 25 °C 90 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,6 mOhms à 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG avec Transistor à puce de haute qualité, prix nouveau et original
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits à semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 100 V – Drain continu (Id) à 25 °C 27 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27 A, 10V... -
IPD031N06L3G nouveaux composants électroniques d'origine puce ic MCU BOM service en stock IPD031N06L3G
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies Boîtier OptiMOS™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Statut du produit Type FET actif Technologie à canal N MOSFET (oxyde métallique ) Tension drain-source (Vdss) Courant 60 V – Drain continu (Id) à 25 °C 100 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,1 mOhm à 100A... -
IMZA65R072M1H puces IC Transistors composants électroniques condensateur de circuit intégré IMZA65R072M1H
Attributs du produit TYPE DESCRIPTION Catégorie Produits à semi-conducteurs discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant unique Série Infineon Technologies – Tube de boîtier Statut du produit Type de FET actif – Technologie – Courant – Drain continu (Id) à 25 °C 28 A (Tc) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Fonction FET - Dissipation de puissance (Max) - Température de fonctionnement - Numéro de produit de base IMZA6.. .
