Puce Merrill nouvelle et originale en stock composants électroniques circuit intégré IC IRFB4110PBF
Attributs du produit
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Emballer | Tube |
| État du produit | Actif |
| Type FET | Canal N |
| Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V |
| Courant – Drain continu (Id) à 25°C | 120A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhms à 75 A, 10 V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4 V à 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 210 NC à 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9 620 pF à 50 V |
| Fonctionnalité FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 370 W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (JT) |
| Type de montage | À travers le trou |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-220AB |
| Colis/Caisse | TO-220-3 |
| Numéro de produit de base | IRFB4110 |
Documents et médias
| TYPE DE RESSOURCE | LIEN |
| Feuilles de données | IRFB4110PbF |
| Autres documents connexes | Système de numérotation des pièces IR |
| Modules de formation sur les produits | Circuits intégrés haute tension (pilotes de grille HVIC) |
| Produit en vedette | Robotique et véhicules à guidage automatique (AGV) |
| Fiche technique HTML | IRFB4110PbF |
| Modèles EDA | IRFB4110PBF par SnapEDA |
| Modèles de simulation | Modèle de sabre IRFB4110PBF |
Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Autres noms | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Forfait standard | 50 |
La famille de MOSFET de puissance Strong IRFET™ est optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevée.Les appareils sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant performances et robustesse.La gamme complète couvre un large éventail d'applications, notamment les moteurs à courant continu, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs et les convertisseurs CC-CC.
Résumé des fonctionnalités
Ensemble d'alimentation traversant standard de l'industrie
Courant élevé
Qualification du produit selon la norme JEDEC
Silicium optimisé pour les applications commutant en dessous de <100 kHz
Corps-diode plus doux par rapport à la génération de silicium précédente
Large portefeuille disponible
Avantages
Le brochage standard permet un remplacement immédiat
Ensemble de capacité de transport de courant élevé
Niveau de qualification standard de l'industrie
Hautes performances dans les applications basse fréquence
Densité de puissance accrue
Offre aux concepteurs la flexibilité de sélectionner le dispositif le plus optimal pour leur application
Paramètres
| Paramètres | IRFB4110 |
| Prix Budgétaire €/1k | 1,99 |
| DI (@25°C) maximum | 180 A |
| Montage | THT |
| Température de fonctionnement min max | -55 °C 175 °C |
| Pt max | 370 W |
| Emballer | TO-220 |
| Polarité | N |
| QG (type @10 V) | 150 NC |
| Qgd | 43 NC |
| RDS (activé) (@10 V) maximum | 4,5 mΩ |
| RthJC max | 0,4 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS maximum | 100 V |
| VGS(e) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
Produits semi-conducteurs discrets
Les produits semi-conducteurs discrets comprennent des transistors, des diodes et des thyristors individuels, ainsi que de petits réseaux composés de deux, trois, quatre ou un petit nombre de dispositifs similaires dans un seul boîtier.Ils sont le plus souvent utilisés pour construire des circuits soumis à des contraintes de tension ou de courant considérables, ou pour réaliser des fonctions de circuit très basiques.
