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des produits

IPD068P03L3G nouveaux composants électroniques d'origine puce IC MCU BOM service en stock IPD068P03L3G

brève description:


Détail du produit

Mots clés du produit

Attributs du produit

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets

Transistors – FET, MOSFET – Simple

Fabricant Infineon Technologies
Série OptiMOS™
Emballer Bande et bobine (TR)

Bande coupée (CT)

Digi-Reel®

État du produit Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30 V
Courant – Drain continu (Id) à 25°C 70A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs 6,8 mOhms à 70 A, 10 V
Vgs(e) (Max) @ Id 2 V à 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC à 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7 720 pF à 15 V
Fonctionnalité FET -
Dissipation de puissance (maximum) 100 W (TC)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (JT)
Type de montage Montage en surface
Package d'appareil du fournisseur PG-TO252-3
Colis/Caisse TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63
Numéro de produit de base IPD068

Documents et médias

TYPE DE RESSOURCE LIEN
Feuilles de données IPD068P03L3G
Autres documents connexes Guide des références
Produit en vedette Systèmes de traitement des données
Fiche technique HTML IPD068P03L3G
Modèles EDA IPD068P03L3GATMA1 par Ultra Bibliothécaire

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Ressources additionnelles

ATTRIBUT DESCRIPTION
Autres noms IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Forfait standard 2 500

Transistor

Un transistor est undispositif semi-conducteurhabituéamplifierouchangersignaux électriques etpouvoir.Le transistor est l’un des éléments de base du système moderne.électronique.[1]Cela est composé dematériau semi-conducteur, généralement avec au moins troisbornespour connexion à un circuit électronique.UNtensionouactuelappliqué à une paire de bornes du transistor contrôle le courant à travers une autre paire de bornes.Étant donné que la puissance contrôlée (de sortie) peut être supérieure à la puissance de contrôle (d'entrée), un transistor peut amplifier un signal.Certains transistors sont emballés individuellement, mais beaucoup d'autres sont intégrés danscircuits intégrés.

Austro-hongrois physicien Julius Edgar Lilienfelda proposé le concept d'untransistor à effet de champen 1926, mais il n'était pas possible de construire un appareil fonctionnel à cette époque.[2]Le premier appareil fonctionnel à être construit était untransistor à contact ponctuelinventé en 1947 par des physiciens américainsJohn BardeenetWalter Brattaintout en travaillant sousWilliam ShockleyàLaboratoires Bell.Les trois ont partagé le 1956Prix ​​Nobel de physiquepour leur réalisation.[3]Le type de transistor le plus utilisé est letransistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur(MOSFET), inventé parMohamed AtallaetDawon Kahngaux Bell Labs en 1959.[4][5][6]Les transistors ont révolutionné le domaine de l'électronique et ont ouvert la voie à des transistors plus petits et moins chers.radios,calculatrices, etdes ordinateurs, entre autres.

La plupart des transistors sont fabriqués à partir de matériaux très purssilicium, et certains degermanium, mais certains autres matériaux semi-conducteurs sont parfois utilisés.Un transistor peut avoir un seul type de porteurs de charge, dans un transistor à effet de champ, ou peut avoir deux types de porteurs de charge.transitor à jonction bipolairedispositifs.Par rapport autuyau d'aspirateur, les transistors sont généralement plus petits et nécessitent moins d’énergie pour fonctionner.Certains tubes à vide présentent des avantages par rapport aux transistors à des fréquences de fonctionnement très élevées ou à des tensions de fonctionnement élevées.De nombreux types de transistors sont fabriqués selon des spécifications standardisées par plusieurs fabricants.


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