AQX IRF7416TRPBF nouvelle et originale puce de Circuit intégré IRF7416TRPBF
Attributs du produit
TAPER | DESCRIPTION |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Emballer | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) Digi-Reel® |
État du produit | Actif |
Type FET | Canal P |
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
Courant – Drain continu (Id) à 25°C | 10A (Ta) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhms à 5,6 A, 10 V |
Vgs(e) (Max) @ Id | 1 V à 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC à 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1 700 pF à 25 V |
Fonctionnalité FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 2,5 W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (JT) |
Type de montage | Montage en surface |
Package d'appareil du fournisseur | 8-SO |
Colis/Caisse | 8-SOIC (0,154″, largeur 3,90 mm) |
Numéro de produit de base | IRF7416 |
Documents et médias
TYPE DE RESSOURCE | LIEN |
Feuilles de données | IRF7416PbF |
Autres documents connexes | Système de numérotation des pièces IR |
Modules de formation sur les produits | Circuits intégrés haute tension (pilotes de grille HVIC) |
Produit en vedette | Systèmes de traitement des données |
Fiche technique HTML | IRF7416PbF |
Modèles EDA | IRF7416TRPBF par Ultra Bibliothécaire |
Modèles de simulation | Modèle de sabre IRF7416PBF |
Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
Statut REACH | REACH non affecté |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Ressources additionnelles
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
Autres noms | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Forfait standard | 4 000 |
IRF7416
Avantages
Structure cellulaire planaire pour une SOA étendue
Optimisé pour une disponibilité plus large auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit selon la norme JEDEC
Silicium optimisé pour les applications commutant en dessous de <100 KHz
Ensemble d'alimentation à montage en surface conforme aux normes de l'industrie
Capable d'être soudé à la vague
MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique -30 V dans un boîtier SO-8
Avantages
Conforme RoHS
RDS faible (activé)
Qualité à la pointe de l'industrie
Cote dynamique dv/dt
Commutation rapide
Entièrement résistant aux avalanches
Température de fonctionnement de 175°C
MOSFET canal P
Transistor
Un transistor est undispositif semi-conducteurhabituéamplifierouchangersignaux électriques etpouvoir.Le transistor est l’un des éléments de base du système moderne.électronique.[1]Cela est composé dematériau semi-conducteur, généralement avec au moins troisbornespour connexion à un circuit électronique.UNtensionouactuelappliqué à une paire de bornes du transistor contrôle le courant à travers une autre paire de bornes.Étant donné que la puissance contrôlée (de sortie) peut être supérieure à la puissance de contrôle (d'entrée), un transistor peut amplifier un signal.Certains transistors sont emballés individuellement, mais beaucoup d'autres sont intégrés danscircuits intégrés.
Austro-hongrois physicien Julius Edgar Lilienfelda proposé le concept d'untransistor à effet de champen 1926, mais il n'était pas possible de construire un appareil fonctionnel à cette époque.[2]Le premier appareil fonctionnel à être construit était untransistor à contact ponctuelinventé en 1947 par des physiciens américainsJohn BardeenetWalter Brattaintout en travaillant sousWilliam ShockleyàLaboratoires Bell.Les trois ont partagé le 1956Prix Nobel de physiquepour leur réalisation.[3]Le type de transistor le plus utilisé est letransistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur(MOSFET), inventé parMohamed AtallaetDawon Kahngaux Bell Labs en 1959.[4][5][6]Les transistors ont révolutionné le domaine de l'électronique et ont ouvert la voie à des transistors plus petits et moins chers.radios,calculatrices, etdes ordinateurs, entre autres.
La plupart des transistors sont fabriqués à partir de matériaux très purssilicium, et certains degermanium, mais certains autres matériaux semi-conducteurs sont parfois utilisés.Un transistor peut avoir un seul type de porteurs de charge, dans un transistor à effet de champ, ou peut avoir deux types de porteurs de charge.transitor à jonction bipolairedispositifs.Par rapport autuyau d'aspirateur, les transistors sont généralement plus petits et nécessitent moins d’énergie pour fonctionner.Certains tubes à vide présentent des avantages par rapport aux transistors à des fréquences de fonctionnement très élevées ou à des tensions de fonctionnement élevées.De nombreux types de transistors sont fabriqués selon des spécifications standardisées par plusieurs fabricants.